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[전자회로] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

등록일 2003.10.06 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 500원

목차

1. 실험목적
2. 예비지식
3. 기기 및 부품
4. 실험 및 결과
5. 고찰

본문내용

4. 실험
4.1 포화 모드에서의 증가형 MOSFET의 동작
(1) 그림의 회로를 브레드보드상에 구성하라. 증가형 n채널 MOSFET는 4007MOSFET어레이 내부에 있는 T2, T3 그리고 T4 중의 하나를 사용하라. VGS 와 VDS를 위해 두 대의 직류 전력 공급기를 준비하고 직류 전류 측정을 위해 직류 전류계 또는 멀티미터를 준비하라.

(2) VDS = 10V 로 고정시키고 VGS 전압을 표와 같이 설정하면서 ID를 측정하여 표에 결과를 기록하라.

5. 고찰
실험은 n 채널 MOSFET를 가지고 했고, 그 결과 I-VGS 특성 측정 결과로 보았을 때, 측정값을 연결하여 그래프를 도시해 보면 증가하는 그래프 모양이 나온다. 그리고 I-VDS 특성 측정 결과로 볼 때 VGS 가 증가할수록 그래프의 전류 값이 증가하는 것을 알수 있고 VDS 는 전류에 아무런 영향을 주지 않는다는 것을 알수 있다.

참고 자료

PSPICE를 이용한 전자회로 실험
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