목차

1. 제 목
2. 예비이론
3. 실험회로도
4. 실험결과

본문내용

Ii(s) = VS(S)
R'S = rx//[rx+(R1//R2//R3)]
R'L = RL//RC//ro
R1//R2 >> rx이므로 Ii(s) ≒ Ii(s) = +sCπVπ+sCμ[Vπ∼Vo(s)] sCπ[Vπ-Vo(s)] = gmVπ+
저주파 이득을 구하면,
|ω=0 = -{rπ//[rχ+(R1//R2//Rs)]}(RL//Rc//ro)
Cπ를 통해 흐르는 전류를 무시,
출력 전압 Vo를 구하면 VO ≒ -gmVπR'L
밀러정리를 이용하여 Cμ를 입력쪽의 등가 커패시턴스 Ceq1과 출력쪽의 등가 커패시턴스 Ceq2로 대체한다.
Ceq1 = Cμ(1-K) = Cμ(1+gmR'L)
Ceq2 = Cμ(1-) = Cμ(1+) ≒ Cμ
gmR'L>>1이므로, 큰 밀러 커패시턴스 Ceq1은 트랜지스터의 Cπ에 직접 더해진다.
Vπ= (R's//ZCT)Ii(s)
Vo(s) = -(R'L//Zcμ)gmVχ

참고 자료

없음