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평가점수C

반도체의 물리적 성질

등록일 2001.10.04 워드파일MS 워드 (doc) | 9페이지 | 가격 1,000원

소개글

먼저 단결정 규소봉(ingot)을 성장시켜 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸 다음 한쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들고 고온(800~1200℃)에서 실리콘 웨이퍼표면에 실리콘산화막(SiO2)를 형성시키지요. 빛에 민감한 물질인 감광제(PR;PhotoResist)를 웨이퍼 표면에 고르게 도포한 다음 유리판 위에 회로패턴을 그린 mask(reticle)에 stepper를 사용하여 빛을 통과시키고 PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진찍는 노광공정이 끝나면 웨이퍼표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상하는 공정과 회로 패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 기체를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 식각(etching)공정을 거치게 됩니다. 이후 이온주입, 화학기상증착, 금속배선 및 연결과 검사를 거쳐 반도체가 완성되지요.

목차

반도체란 무엇인가?
어떻게 만들어지나?
1. 반도체 물질
2. 그 특성들
- 결정의 종류
- 결정구조
- 에너지밴드
3. 캐리어 농도와 Effective Density of State

본문내용

먼저 단결정 규소봉(ingot)을 성장시켜 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸 다음 한쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들고 고온(800~1200℃)에서 실리콘 웨이퍼표면에 실리콘산화막(SiO2)를 형성시키지요. 빛에 민감한 물질인 감광제(PR;PhotoResist)를 웨이퍼 표면에 고르게 도포한 다음 유리판 위에 회로패턴을 그린 mask(reticle)에 stepper를 사용하여 빛을 통과시키고 PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진찍는 노광공정이 끝나면 웨이퍼표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상하는 공정과 회로 패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 기체를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 식각(etching)공정을 거치게 됩니다. 이후 이온주입, 화학기상증착, 금속배선 및 연결과 검사를 거쳐 반도체가 완성되지요.
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